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摘要

基于GaAs 0.25 μm PHEMT工艺研制一款超宽带限幅低噪声放大器芯片，该芯片可覆盖L波段及S波段实现宽带放大，限幅PIN二极管可抵御高功率微波脉冲带来的微波阻抗调制效应，提升电路耐功率容量和应对复杂输入信号的能力。放大器采用两级级联的共源共栅结构，输入匹配采用PIN限幅器实现限幅功能，通过源极电感负反馈优化噪声匹配结构，采用并联电阻负反馈及串并联电感峰化的设计方法，在拓展带宽的同时提高了线性度。芯片面积为1.56 mm²，测试结果表明：放大器工作频率1.5～4.5 GHz，NF＜0.75 dB，限幅功率＜27 dBm，增益S21＞37 dB，OP1dB＞19.5 dBm。

关键词

GaAs；超宽带；限幅低噪声放大器；S波段

参考文献

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作者简介

陆雨茜（1994—），女，汉族，重庆人，工程师，硕士研究生，研究方向：射频微波集成电路设计；李圣君（1992—），男，汉族，四川阆中人，工程师，硕士研究生，研究方向：射频微波集成电路设计；庞博（1993—），男，汉族，河北秦皇岛人，工程师，硕士，研究方向：射频微波集成电路设计；刘彦宁（1989—），男，汉族，山西阳泉人，工程师，博士研究生，研究方向：射频微波集成电路设计；杨德梦（1992—），男，汉族，新疆博乐人，工程师，硕士研究生，研究方向：射频微波集成电路设计；顾珣（1992—），男，汉族，四川成都人，工程师，硕士研究生，研究方向：射频微波集成电路设计。